產(chǎn)品名稱：CVD二硒化鎢薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、單層/多層連續(xù)薄膜）

產(chǎn)品描述：

CVD二硒化鎢薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、單層/多層連續(xù)薄膜）

二硒化鎢（WSe2）是一種重要的TMDs材料，因其單層直接帶隙約1.6 eV，具備優(yōu)異的光致發(fā)光和電學特性，被認為是光電與電子器件的理想候選。CVD方法能夠在不同條件下合成孤立晶粒、單層連續(xù)薄膜或多層薄膜，從而實現(xiàn)材料在基礎研究與應用之間的自由切換。

CVD WSe2通常使用WO3或WCl6作為鎢源，以Se粉或H2Se作為硒源，在高溫下沉積于藍寶石或SiO2/Si襯底。通過調(diào)控反應條件，可以得到大面積單晶域的孤立WSe2晶粒，用于研究晶體生長機理和器件制備；進一步優(yōu)化反應氣氛和升溫條件，可以獲得單層連續(xù)薄膜，展現(xiàn)均勻的帶隙和優(yōu)良的光電性能；若延長反應時間或提高前驅(qū)體供給量，則可合成多層連續(xù)薄膜，用于功率電子器件和電化學應用。

CVD WSe2在光電探測器、發(fā)光二極管、隧穿器件和柔性電子中均有應用。孤立晶粒適合研究缺陷和邊界效應，而單層與多層連續(xù)薄膜更適合大面積器件的構建。隨著工藝優(yōu)化，CVD WSe2在晶圓級應用中展現(xiàn)出巨大潛力。 

產(chǎn)地：西安齊岳生物

用途：科研

以上資料由西安齊岳生物小編zhn提供，僅用于科研  

運輸說明：

極低溫產(chǎn)品：極低溫產(chǎn)品運輸過程中加裝干冰運輸。

低溫產(chǎn)品：低溫產(chǎn)品運輸過程中加裝專用冰袋運輸。

常溫產(chǎn)品：常溫產(chǎn)品運輸過程中無需加冰或者特殊包裝。

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