資訊信息
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08-27
20222英寸二硒化鉬（2 inch MoSe2）
2英寸二硒化鉬（2 inch MoSe2）2英寸CVD MoSe2薄膜在學術研究與應用轉化中具有承上啟下的作用。其尺寸大于常規小樣品，能滿足器件陣列制備與性能統計需求，同時工藝可控性較好，便于研究者探索MoSe2的物理特性及其在不同應用中的表現。在CVD合成中，通過優化升溫速率、氣流動力學以及Mo/Se前驅體 -
08-27
2022CVD二硒化鎢薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、單層/多層連續薄膜）
CVD二硒化鎢薄膜（CVD WSe2：孤立晶粒、單層/多層連續薄膜）二硒化鎢（WSe2）是一種重要的TMDs材料，因其單層直接帶隙約1.6 eV，具備優異的光致發光和電學特性，被認為是光電與電子器件的理想候選。CVD方法能夠在不同條件下合成孤立晶粒、單層連續薄膜或多層薄膜，從而實現材料在基礎研究與應用之間的自 -
08-27
20224英寸二硒化鎢薄膜（4 inch WSe2）
4英寸二硒化鎢薄膜（4 inch WSe2）4英寸CVD WSe2薄膜的制備是二維材料產業化的重要進展。其大面積與高均勻性能夠滿足半導體器件產業對標準晶圓的需求。由于WSe2在單層時具有直接帶隙特性，能夠高效吸收和發射可見光，因此4英寸WSe2薄膜在光電通信、柔性顯示以及集成光電器件中具有突出應用前景。在CV -
08-27
2022CVD二硫化鉬薄膜（CVD MoS2）
CVD二硫化鉬薄膜（CVD MoS2）二硫化鉬（MoS2）是一類典型的過渡金屬硫族化合物（TMDs），以其獨特的層狀結構和優異的電子、光學特性在新一代電子器件、光電探測器、傳感器以及能源轉換領域中具有重要應用價值。采用化學氣相沉積（CVD, Chemical Vapor Deposition）方法制備的MoS -
08-27
20224英寸MoS2薄膜（4 inch MoS2）
4英寸MoS2薄膜（4 inch MoS2）4英寸CVD MoS2薄膜是實現規模化應用的重要一步，其尺寸適配半導體工業的標準晶圓規格，可與現有硅基工藝兼容，推動二維材料從實驗室走向產業化。相比小尺寸樣品，4英寸MoS2薄膜要求更高的均勻性與一致性，因此CVD制備工藝需要優化溫度場分布、氣體流場以及反應物供給方 -
08-27
20222英寸MoS2薄膜（2 inch MoS2）
2英寸MoS2薄膜（2 inch MoS2）2英寸MoS2薄膜是科研與產業之間的重要過渡尺寸，兼具實驗可行性與應用潛力。通過CVD工藝在2英寸襯底上生長的MoS2薄膜，能夠保證較高的單晶區覆蓋率和可控層數，從而滿足電子學和光電子學實驗中對材料均勻性和可重復性的需求。相比于機械剝離的小片材料，2英寸薄膜可以更方 -
08-27
2022CVD二硫化鎢薄膜（CVD WS2）
CVD二硫化鎢薄膜（CVD WS2）二硫化鎢（WS2）同樣屬于過渡金屬硫族化合物，與MoS2類似，具有層狀結構和可調帶隙特性。CVD方法制備的WS2薄膜因其高質量和大面積連續性，在電子與光電子領域受到廣泛關注。WS2在單層狀態下表現為直接帶隙半導體（約2.0 eV），適合應用于光電探測器和發光器件；在多層狀態 -
08-27
20224英寸二硫化鎢薄膜（4 inch WS2）
4英寸二硫化鎢薄膜（4 inch WS2）4英寸CVD WS2薄膜代表了二維硫族化合物向大規模應用邁進的重要方向。其大尺寸制備對工藝控制提出了更高要求，需要優化氣流分布、前驅體蒸發速率和溫度均勻性，確保整個4英寸襯底上的薄膜在厚度、晶體取向及性能上的一致性。4英寸WS2薄膜在光電性能上表現優異，單層WS2具有 -
08-22
2022ICG-Glycogen，吲哚菁綠標記糖原，Indocyanine Green-Labeled Glycogen
ICG-Glycogen中文名稱：吲哚菁綠標記糖原英文名稱：Indocyanine Green-Labeled Glycogen (ICG-Glycogen)介紹：ICG-Glycogen 是通過將 ICG 熒光染料標記到糖原（Glycogen）分子上的復合物。糖原是一種動物和人體內常見的多支鏈葡萄糖聚合物， -
08-22
2022ICG-Difucosyllactose，吲哚菁綠標記乳糖-二巖藻四糖
ICG-Difucosyllactose中文名稱：吲哚菁綠標記乳糖-二巖藻四糖英文名稱：Indocyanine Green-Labeled Difucosyllactose (ICG-Difucosyllactose)介紹：ICG-Difucosyllactose 是通過化學方法將近紅外熒光染料吲哚菁綠（IC
